Тел.: +7 (8352) 375-835
+7 (927) 66-75-835
E-mail: sale@school-shop.su
ICQ: 642380475
Навигация:ГлавнаяДля ВУЗов, техникумов и ПУФизикаКвантовая физика

Квантовая физика

Арт.ФотоНаименование
ТП-01ФКЛ-1 Определение постоянной Ридберга (Планка) по спектру атома водорода
ТП-02ФКЛ-2 Изучение спектров щелочных металлов на примере спектра атома натрия
ТП-03ФКЛ-3 Изучение спектров инертных газов
ТП-04ФКЛ-4 Изучение спектра атома ртути. Изучение тонкой структуры спектральных линий атома ртути
ТП-05ФКЛ-4М Определение концентрации возбужденных атомов в газоразрядной плазме оптическим методом
ТП-06ФКЛ-5 Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода
ТП-07ФКЛ-5У Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода
ТП-08ФКЛ-6 Определение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ТП-09ФКЛ-6У Определение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ТП-10ФКЛ-7 Определение потенциала возбуждения и ионизации атомов ртути (инертного газа) методом электронного удара. Модель для эксплуатации без осциллографа.
ТП-11ФКЛ-7У Определение потенциала возбуждения и ионизации атомов ртути (инертного газа) методом электронного удара. Модель для экплуатации с осциллографом.
ТП-12ФКЛ-8 Изучение рассеяния электронов на атомах ксенона. Определение глубины и ширины потенциальной ямы с помощью эффекта Рамзауэра. Модель для эксплуатации без осциллографа.
ТП-13ФКЛ-8У Изучение рассеяния электронов на атомах ксенона. Определение глубины и ширины потенциальной ямы с помощью эффекта Рамзауэра. Модель для экплуатации с осциллографом.
ТП-14ФКЛ-9 Изучение зависимости сопротивления металлов от температуры. Определение температурного коэффициента сопротивления металлов
ТП-15ФКЛ-10 Изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
ТП-16ФКЛ-11 Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента. Модель для эксплуатации с монохроматором.
ТП-17ФКЛ-11М Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента. Модель для эксплуатации без монохроматора
ТП-18ФКЛ-11У Изучение внешнего фотоэффекта. Законы Столетова для фотоэффекта.
ТП-19ФКЛ-12 Определение работы выхода электронов из металла при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
ТП-20ФКЛ-14 Определение удельного заряда электрона методом магнетрона.
ТП-21ФКЛ-14М; ФКЛ-14 М-У Определение заряда электрона с помощью эффекта Шотки
ТП-22ФКЛ-15 Закон Стефана-Больцмана. Изучение зависимости энергетической светимости нагретого тела от температуры
ТП-23ФКЛ-16 Определение ширины запирающего слоя p-n перехода и концентрации примеси в области лавинного пробоя
ТП-24ФКЛ-17 Фотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фотодиода.
ТП-25ФКЛ-18 Изучение электронно-дырочного перехода. Изучение вольт-амперной характеристики p-n перехода.
ТП-26ФКЛ-18У Изучение электронно-дырочного перехода. Изучение вольт-амперной характеристики p-n перехода.
ТП-27ФКЛ-19 Определение заряда электрона с помощью дробового эффекта
ТП-28ФКЛ-20. Полупроводниковые оптические генераторы. Определение постоянной Планка на основе измерения напряжения включения полупроводниковых излучающих светодиодов и полупроводникового лазера.

Категории