Навигация:Главная›Для ВУЗов, техникумов и ПУ›Физика›Квантовая физика

Квантовая физика

Арт.	Фото	Наименование
ТП-01		ФКЛ-1 Определение постоянной Ридберга (Планка) по спектру атома водорода
ТП-02		ФКЛ-2 Изучение спектров щелочных металлов на примере спектра атома натрия
ТП-03		ФКЛ-3 Изучение спектров инертных газов
ТП-04		ФКЛ-4 Изучение спектра атома ртути. Изучение тонкой структуры спектральных линий атома ртути
ТП-05		ФКЛ-4М Определение концентрации возбужденных атомов в газоразрядной плазме оптическим методом
ТП-06		ФКЛ-5 Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода
ТП-07		ФКЛ-5У Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода
ТП-08		ФКЛ-6 Определение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ТП-09		ФКЛ-6У Определение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ТП-10		ФКЛ-7 Определение потенциала возбуждения и ионизации атомов ртути (инертного газа) методом электронного удара. Модель для эксплуатации без осциллографа.
ТП-11		ФКЛ-7У Определение потенциала возбуждения и ионизации атомов ртути (инертного газа) методом электронного удара. Модель для экплуатации с осциллографом.
ТП-12		ФКЛ-8 Изучение рассеяния электронов на атомах ксенона. Определение глубины и ширины потенциальной ямы с помощью эффекта Рамзауэра. Модель для эксплуатации без осциллографа.
ТП-13		ФКЛ-8У Изучение рассеяния электронов на атомах ксенона. Определение глубины и ширины потенциальной ямы с помощью эффекта Рамзауэра. Модель для экплуатации с осциллографом.
ТП-14		ФКЛ-9 Изучение зависимости сопротивления металлов от температуры. Определение температурного коэффициента сопротивления металлов
ТП-15		ФКЛ-10 Изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
ТП-16		ФКЛ-11 Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента. Модель для эксплуатации с монохроматором.
ТП-17		ФКЛ-11М Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента. Модель для эксплуатации без монохроматора
ТП-18		ФКЛ-11У Изучение внешнего фотоэффекта. Законы Столетова для фотоэффекта.
ТП-19		ФКЛ-12 Определение работы выхода электронов из металла при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
ТП-20		ФКЛ-14 Определение удельного заряда электрона методом магнетрона.
ТП-21		ФКЛ-14М; ФКЛ-14 М-У Определение заряда электрона с помощью эффекта Шотки
ТП-22		ФКЛ-15 Закон Стефана-Больцмана. Изучение зависимости энергетической светимости нагретого тела от температуры
ТП-23		ФКЛ-16 Определение ширины запирающего слоя p-n перехода и концентрации примеси в области лавинного пробоя
ТП-24		ФКЛ-17 Фотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фотодиода.
ТП-25		ФКЛ-18 Изучение электронно-дырочного перехода. Изучение вольт-амперной характеристики p-n перехода.
ТП-26		ФКЛ-18У Изучение электронно-дырочного перехода. Изучение вольт-амперной характеристики p-n перехода.
ТП-27		ФКЛ-19 Определение заряда электрона с помощью дробового эффекта
ТП-28		ФКЛ-20. Полупроводниковые оптические генераторы. Определение постоянной Планка на основе измерения напряжения включения полупроводниковых излучающих светодиодов и полупроводникового лазера.